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內(nèi)置Arkh.3G的OCXO晶振”Arkh.5G”發(fā)行,更小更低功耗引人眼球

來(lái)源:http://m.eitherspanlaw.com 作者:億金電子 2020年09月21
  內(nèi)置Arkh.3G的OCXO晶振”Arkh.5G”發(fā)行,更小更低功耗引人眼球
  當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月15日,KDS官方發(fā)布稱(chēng):”我們很高興地宣布,我們(長(zhǎng)谷川社長(zhǎng))開(kāi)發(fā)了OCXO晶振(帶恒溫浴的晶體振蕩器),該振蕩器將我們的原始下一代晶體計(jì)時(shí)設(shè)備Arkh.3G封裝在一起.”至此一個(gè)新的時(shí)代開(kāi)啟了.
  從2020年開(kāi)始,將使用第五代移動(dòng)通信系統(tǒng)5G網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行服務(wù),并有望從``高速/大容量'',``低延遲''和``與多個(gè)終端連接''的特征創(chuàng)新各種服務(wù)和行業(yè)...
  由于5G網(wǎng)絡(luò)服務(wù)使用的頻段比以前更高,因此由于無(wú)線(xiàn)電波的平直度和反射效應(yīng),預(yù)計(jì)需要安裝大量基站以改善通信區(qū)域.需要更頻繁地安裝的本地5G基站必須更小,成本更低,功耗更低;所使用的計(jì)時(shí)設(shè)備比TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)更穩(wěn)定,并且比以前更小,更低.希望具有降低的功耗的OCXO.
  普通的OCXO通過(guò)抑制晶體換能器的溫度特性的影響,將內(nèi)置的晶體換能器保持在恒定的溫度,并實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性.常規(guī)的OCXO具有大的鐵芯尺寸,這是包括晶體振蕩器的振蕩電路,因此熱容量和散熱量較大,并且需要大量功率.
  因此,KDS采用了獨(dú)特的結(jié)構(gòu),將超小的Archh.3G(振蕩器)用作OCXO的核心,從而成功開(kāi)發(fā)了比以前更小(7.3x4.9x2.0mm)和更高性能的OCXO.Arkh.3G是體積比較小的產(chǎn)品的85%或以上,厚度是傳統(tǒng)產(chǎn)品(世界上最小的1612級(jí)石英晶體振蕩器)厚度的1/2的產(chǎn)品.將Archh.3G集成到核心部分可以實(shí)現(xiàn)小型化,從而可以將熱容量和散熱量降至最大.另外,常規(guī)產(chǎn)品的芯通常在空氣氣氛中,但是該產(chǎn)品具有真空氣氛并且具有不容易受到熱對(duì)流影響的芯結(jié)構(gòu).
  如此小的芯部將導(dǎo)致進(jìn)一步的小型化,例如5.0x3.2mm的尺寸.另外,我們相信通過(guò)在保持產(chǎn)品尺寸的同時(shí)多路復(fù)用包裝或通過(guò)稍微增加尺寸可以改善隔熱效果,因此可以在保持產(chǎn)品尺寸的同時(shí)提高精度.并計(jì)劃在將來(lái)擴(kuò)展這些產(chǎn)品陣容.
  這款產(chǎn)品的具體規(guī)格如下表:

型號(hào)名稱(chēng) DC7050AS
外形尺寸 7.3x4.9毫米高度2.0毫米
頻率溫度特性 最大±30×10-9
能量消耗 0.25W(典型值)在25℃穩(wěn)定時(shí)
樣品支持 2020年12月之后
預(yù)定量產(chǎn) 2021年10月
5G基站和其他參考設(shè)備
  另外,傳統(tǒng)的OCXO具有不適合以高成本大量生產(chǎn)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu),因?yàn)橛捎诮Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和零件的數(shù)量而需要人工組裝.另一方面,新開(kāi)發(fā)的OCXO使用具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝,并廣泛用于晶體行業(yè).這些設(shè)計(jì)旨在促進(jìn)在全自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)上的組裝,從而有可能在將來(lái)為不斷擴(kuò)展的基站市場(chǎng)提供大量廉價(jià)的OCXO.
  可見(jiàn),這一低功耗恒溫有源晶振的發(fā)行是直奔5G通信市場(chǎng)去的,現(xiàn)在5G市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈,該產(chǎn)品的發(fā)現(xiàn)無(wú)疑為KDS在未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中提供極大的助力.

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