NJR Crystal的產品陣容
來源：http://m.eitherspanlaw.com 作者：億金電子 2019年05月08
NJR Crystal是世界上為數(shù)不多的開發(fā)和制造半導體產品和無源電子元件（如傳感器,SAW濾波器,石英晶體和MEMS麥克風）的電子設備制造商之一.通過以易于使用的方式提供這些設備,我們?yōu)榭蛻舻漠a品開發(fā)做出貢獻.下面億金電子NJR代理商為大家介紹NJR Crystal的產品陣容.
NJR 半導體產品+無源元件
結合半導體產品和無源元件的電子電路是客戶產品開發(fā)不可或缺的.例如,智能手機配備有用于接收模塊的SAW濾波器,貼片晶振和GaAs（砷化鎵）半導體,以及用于麥克風模塊的MEMS麥克風.
NJR Crystal提供無源元件以及適合它們的半導體產品.因此,客戶可以通過合并具有兼容性的產品來構建具有高性能和可靠性的模塊.
NJR SAW濾波器
SAW濾波器使用在物質表面上傳播的聲波的特性來提取特定頻率的信號.NJR的SAW濾波器小巧輕便,在確保移動終端緊湊但仍能提供高性能和多功能性方面發(fā)揮著重要作用.這對于現(xiàn)在在多個頻段上運行并具有多個SAW濾波器的智能手機來說尤為重要.
然而,SAW濾波器難以大規(guī)模生產.需要具備制造工藝的專業(yè)知識才能保持質量.NJR的SAW濾波器以其一貫的質量而聞名,在汽車領域享有盛譽.它們也引起了工業(yè)機械和物聯(lián)網(wǎng)領域企業(yè)的關注.同樣受歡迎的SAW濾波器解決方案包括GaAs半導體開關,可提供出色的高頻特性.
NJR MEMS麥克風
MEMS（微電子機械系統(tǒng)）是一種在一個硅襯底上集成機械元件和電子電路的機電元件.NJR Crystal提供專門用于麥克風的MEMS.
MEMS麥克風越來越多地用于智能手機和其他移動設備.我們很自豪NJR MEMS麥克風和半導體產品受到智能手機套裝制造商的高度贊譽.累計出貨量已突破10億大關,現(xiàn)在我們正在看待物聯(lián)網(wǎng)領域的應用.在不久的將來,您可以找到配備NJR MEMS麥克風的汽車和機器人,使他們能夠與司機/用戶交談.
NJR 電力設備
近年來,對能夠處理高電壓和大電流的功率器件的需求不斷增長.它們用于汽車和火車,能源系統(tǒng),工業(yè)設備和其他領域.
NJR生產商用超結MOSFET（SJ-MOSFET）;這些超過硅單極器件的導通電阻.對于電源應用,NJR CRYSTAL還提供碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管.SiC是一種寬帶隙材料,具有優(yōu)異的導熱性和高擊穿場;這是適用于功率器件的材料.我們將開發(fā)具有傳統(tǒng)硅半導體所沒有的特性的SiC功率器件.
結合半導體產品和無源元件的電子電路是客戶產品開發(fā)不可或缺的.例如,智能手機配備有用于接收模塊的SAW濾波器,貼片晶振和GaAs（砷化鎵）半導體,以及用于麥克風模塊的MEMS麥克風.
NJR Crystal提供無源元件以及適合它們的半導體產品.因此,客戶可以通過合并具有兼容性的產品來構建具有高性能和可靠性的模塊.
NJR SAW濾波器
SAW濾波器使用在物質表面上傳播的聲波的特性來提取特定頻率的信號.NJR的SAW濾波器小巧輕便,在確保移動終端緊湊但仍能提供高性能和多功能性方面發(fā)揮著重要作用.這對于現(xiàn)在在多個頻段上運行并具有多個SAW濾波器的智能手機來說尤為重要.
然而,SAW濾波器難以大規(guī)模生產.需要具備制造工藝的專業(yè)知識才能保持質量.NJR的SAW濾波器以其一貫的質量而聞名,在汽車領域享有盛譽.它們也引起了工業(yè)機械和物聯(lián)網(wǎng)領域企業(yè)的關注.同樣受歡迎的SAW濾波器解決方案包括GaAs半導體開關,可提供出色的高頻特性.
MEMS（微電子機械系統(tǒng)）是一種在一個硅襯底上集成機械元件和電子電路的機電元件.NJR Crystal提供專門用于麥克風的MEMS.
MEMS麥克風越來越多地用于智能手機和其他移動設備.我們很自豪NJR MEMS麥克風和半導體產品受到智能手機套裝制造商的高度贊譽.累計出貨量已突破10億大關,現(xiàn)在我們正在看待物聯(lián)網(wǎng)領域的應用.在不久的將來,您可以找到配備NJR MEMS麥克風的汽車和機器人,使他們能夠與司機/用戶交談.
NJR 電力設備
近年來,對能夠處理高電壓和大電流的功率器件的需求不斷增長.它們用于汽車和火車,能源系統(tǒng),工業(yè)設備和其他領域.
NJR生產商用超結MOSFET（SJ-MOSFET）;這些超過硅單極器件的導通電阻.對于電源應用,NJR CRYSTAL還提供碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管.SiC是一種寬帶隙材料,具有優(yōu)異的導熱性和高擊穿場;這是適用于功率器件的材料.我們將開發(fā)具有傳統(tǒng)硅半導體所沒有的特性的SiC功率器件.
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