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瑞康晶振,RTF3215晶振,SMD晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
RAKON瑞康晶振與世界上一些最大的科技品牌合作,讓他們的下一代解決方案成為了他們的下一代解決方案。Rakon在創(chuàng)新 上蓬勃發(fā)展,沉浸在不斷變化的市場中,他理解市場對于有源晶振、壓電陶瓷諧振器、表晶32. 768K石英晶體,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶體振蕩器等元器件的需求,使其能夠引領(lǐng)領(lǐng)先的規(guī)范,并推動技術(shù)的邊界。我們將:提供可持續(xù)和盈利增長?!裢ㄟ^嵌入式行業(yè)性能基準測試產(chǎn)品和流程創(chuàng)新的文化。
●提供高附加值和高性能的晶振,石英晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器,是我們的業(yè)務(wù)
●提供高附加值和高性能的晶振,石英晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器,是我們的業(yè)務(wù)
核心。
●有快速、靈活和適應(yīng)性制造解決方案的結(jié)合內(nèi)部和制造伙伴關(guān)系。文化人們的啟發(fā),對齊,參與并積極的通過一個組織,支持和發(fā)展我們作為一個團隊。瑞康晶振烤箱控制看到振蕩器(OCSO)特性頻率穩(wěn)定度方面的卓越表現(xiàn),老齡化和g-sensitivity。它們具有較低的噪聲地板性能,而不具有降低近相噪聲的特性。當(dāng)需要超低相位噪聲的時候,特別是在高頻率的配合下,可以使用0CSO。
●有快速、靈活和適應(yīng)性制造解決方案的結(jié)合內(nèi)部和制造伙伴關(guān)系。文化人們的啟發(fā),對齊,參與并積極的通過一個組織,支持和發(fā)展我們作為一個團隊。瑞康晶振烤箱控制看到振蕩器(OCSO)特性頻率穩(wěn)定度方面的卓越表現(xiàn),老齡化和g-sensitivity。它們具有較低的噪聲地板性能,而不具有降低近相噪聲的特性。當(dāng)需要超低相位噪聲的時候,特別是在高頻率的配合下,可以使用0CSO。
FREQUENCY CHARACTERISTICS | |
RTF3215 | |
Frequency | 32.768KHZ |
Frequency tolerance at 25°C (ppm) |
±10, ± 20, ± 30, ± 50, ± 100ppm
|
Turnover temperature (°C) | 25 ± 5°C |
Parabolic coefficient (/°C2)
|
−0.03 ±0.01 x 10−6°C |
Motional resistance (ESR) (kΩ) | 70 Max |
Load capacitance (pF) | 7.0, 9.0 and 12.5PF |
Storage temperature range (°C) |
−55 to +125°C
|
Operating temperature range (°C) | −40 to 85 °C |
石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊:所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。瑞康晶振,RTF3215晶振,SMD晶振
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標頻率高,要增加外部電容CL (或Ca以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌撦d電容(CL) 的晶振試用。試用晶振具有較低電容若頻率比目標頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由.于增加外部電容,請使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的SMD晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標只有三分之一。
公司:深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話:0755-27876565
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QQ:857950243
郵箱:yijindz@163.com
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