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首頁(yè)進(jìn)口晶振CMR200T石英晶體,進(jìn)口晶振,寶安進(jìn)口晶振代理,CMR200T32768DZFT

CMR200T石英晶體,進(jìn)口晶振,寶安進(jìn)口晶振代理,CMR200T32768DZFT

  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：6.0*2.0mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 小型,薄型,"CMR200T32768DZFT"輕型的表面貼片音叉型晶體諧振器,具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定
  • RoHS RoHS2

           CMR200T石英晶體,進(jìn)口晶振,寶安進(jìn)口晶振代理,西鐵城晶振,"CMR200T32768DZFT",西鐵城晶振品牌世界知名國(guó)際大品牌全球500強(qiáng)企業(yè)，CITIZEN所生產(chǎn)的石英晶體振蕩器具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊） 無(wú)鉛產(chǎn)品.滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

項(xiàng)目 記 號(hào) CMR200T 條 件
頻率 f_nom 32.768KHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5°C  
二級(jí)溫度系數(shù) B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負(fù)載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯(lián)電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) DLmax. 1μW  
推薦激勵(lì)等級(jí) DL 0.1μW  
并聯(lián)電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C，第一年
保存溫度范圍 T_use -55°C～+125°C  
工作溫度范圍 T_stg -40°C～+85°C 單件保管




         "CMR200T32768DZFT",晶體具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等.當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶體的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的晶體振蕩.當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式.因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式.該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的.
      "CMR200T32768DZFT",  西鐵城科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿(mǎn)足客戶(hù)需求,獲得客戶(hù)的信賴(lài)而努力.
聯(lián)系人：黃娜
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