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首頁(yè)進(jìn)口晶振DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補(bǔ)振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機(jī)晶振,1XXB12288EAA

DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補(bǔ)振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機(jī)晶振,1XXB12288EAA

  • 頻率：10~40.00MHZ
  • 尺寸：2.5*2.0mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 小型,薄型表面貼片型晶體諧振器,"1XXB12288EAA"特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,超小型,薄型,質(zhì)地輕,具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性耐沖擊性在辦公自動(dòng)化家電相關(guān)電器領(lǐng)域及.Bluetooth
  • RoHS RoHS2

           DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補(bǔ)振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機(jī)晶振,大真空主要生產(chǎn)晶振,貼片晶振,"1XXB12288EAA"石英晶體諧振器,水晶振動(dòng)子,手表，液晶模塊，以及技術(shù)開發(fā)新型的電子元器件等產(chǎn)品.大真空有源晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
項(xiàng)目 記 號(hào) DSB221SJ 條 件
頻率 f_nom 10~40MHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5°C  
二級(jí)溫度系數(shù) B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負(fù)載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯(lián)電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) DLmax. 1μW  
推薦激勵(lì)等級(jí) DL 0.1μW  
并聯(lián)電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C，第一年
工作溫度范圍 T_use -40°C～+85°C  
保存溫度范圍 T_stg -40°C～+125°C 單件保管


        
         請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器晶體的兩個(gè)端子的信號(hào)，"1XXB12288EAA"如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下：
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。"1XXB12288EAA"該晶體應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
             KDS日本大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國(guó)市場(chǎng),現(xiàn)如今大真空品牌在國(guó)內(nèi)電子元件中深入民心以專業(yè)化系統(tǒng)在全國(guó)各地的工廠生產(chǎn).高超的生產(chǎn)技術(shù)一流的生產(chǎn)設(shè)備, 自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢(shì)既而節(jié)省勞動(dòng)力,如有用到大真空晶振貼片或插件的客戶請(qǐng)與國(guó)內(nèi)深圳市億金電子大真空株式會(huì)社指定代理商聯(lián)系.日本大真空株式會(huì)社,"1XXB12288EAA"KDS貼片晶振品牌實(shí)力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠.
          日本大真空晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
          2003年大真空通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,"1XXB12288EAA"秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.
聯(lián)系人：黃娜
公司：深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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