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首頁進口晶振SG-8003CE晶體振蕩器,EPSON晶振大陸經銷,有源貼片晶振,安防晶振型號

SG-8003CE晶體振蕩器,EPSON晶振大陸經銷,有源貼片晶振,安防晶振型號

  • 頻率:1.0~166MHZ
  • 尺寸:3.2x2.5mm詳細請瀏覽PDF文檔
  • 應 用: 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點.
  • RoHS RoHS2

             SG-8003CE晶體振蕩器,EPSON晶振大陸經銷,有源貼片晶振,安防晶振型號,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
項目 記 號 SG-8003CE 條 件
頻率 f_nom 1.0~166MHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點溫度 Ti +25±5°C  
二級溫度系數 B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對最大激勵等級 DLmax. 1μW  
推薦激勵等級 DL 0.1μW  
并聯電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C,第一年
工作溫度范圍 T_use -20°C~+70°C  
保存溫度范圍 T_stg -55°C~+125°C 單件保管


         晶振在產品應用中頻率偏差超過要求怎么辦呢?
         我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法:
         調整外部電容,Cd和CG的值.如果由頻率計數器測量頻率比目標頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標頻率,反之亦然.
         可以采用不同負載電容(CL)的晶體試用.試用晶體具有較低電容若頻率比目標頻率超高很多的話.請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過和頻率調節(jié)到目標之后.根據該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況.

              愛普生晶振晶體科技股份有限公司,依據‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統內之流程順序及交互作用的描述.
         愛普生晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
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