首頁(yè)晶振行業(yè)動(dòng)態(tài) 詳細(xì)了解電子數(shù)碼產(chǎn)品背后的晶振
詳細(xì)了解電子數(shù)碼產(chǎn)品背后的晶振
來(lái)源：http://m.eitherspanlaw.com 作者：技術(shù)部 2014年03月01
在今天的的電子數(shù)碼產(chǎn)品中基本上每一款數(shù)碼產(chǎn)品的背后都會(huì)有一顆石英晶振，或者是，陶瓷晶振，那么晶振在電子數(shù)碼產(chǎn)品中又扮演什么樣的角色呢？在電子數(shù)碼產(chǎn)品中又起到了什么樣的作用呢？晶振本身的原來(lái)又是什么呢？帶著這一系列的問(wèn)題，以下我們來(lái)一一解答！
陶瓷晶振主芯片是多種化學(xué)物凝結(jié)而成的，其中有鉛，鉻，泥土等化學(xué)物合成，外觀是直接采用泥土包封，所以簡(jiǎn)稱為陶瓷晶振，陶瓷晶振一般應(yīng)用在比較低端的家用電子產(chǎn)品，或者是兒童游戲玩具產(chǎn)品，因其本身精度不高，所以應(yīng)用的產(chǎn)品也就一般，高精度的陶瓷諧振器也就是千分之1，一般常規(guī)的也就千分之3或者是千分之5，相對(duì)石英晶振的精度來(lái)說(shuō)就相差盛遠(yuǎn)了，石英晶振的精度一般情況下都能達(dá)到20ppm的精度，在精確一些的能達(dá)到+-5ppm的精度，所以一般比較高端一些的數(shù)碼產(chǎn)品在產(chǎn)品線路設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)采用石英晶振的設(shè)計(jì)，就說(shuō)說(shuō)電腦周邊的產(chǎn)品，USB讀卡器來(lái)解說(shuō)，讀卡器主要用途是用來(lái)讀取DS卡，TF卡，記憶棒卡，CF卡，閃存等存儲(chǔ)卡，而這些存儲(chǔ)卡主要功能好是用來(lái)存儲(chǔ)圖片，音樂(lè)，文件，數(shù)據(jù)等資料，當(dāng)你要把存儲(chǔ)卡上的資料讀取到電腦上的時(shí)候就必須要使用讀卡器來(lái)轉(zhuǎn)接，這時(shí)候讀卡器里面的晶振就需要發(fā)揮它的用處了，很多消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)讀卡器之后會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題，發(fā)現(xiàn)當(dāng)讀卡器的文件轉(zhuǎn)接到電腦硬盤(pán)的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)傳輸速度才幾KB或者是幾十KB，其實(shí)一個(gè)正常的讀卡器傳輸?shù)乃俣茸钌僭?M左右，那么為什么有些讀卡器的傳輸速度會(huì)如此的慢呢？原因很簡(jiǎn)單，是讀卡器里面的那顆小小的晶振在作怪，讀卡器的要求其實(shí)本身就不高，在設(shè)計(jì)線路的時(shí)候就會(huì)選擇一款石英晶振精度在30PPM的就足夠了，后來(lái)很多的讀卡器生產(chǎn)商為了節(jié)約成本，從而產(chǎn)生更大的利潤(rùn)就會(huì)從內(nèi)部的電子零件下手，而且內(nèi)部除了IC之外最為值錢(qián)的就要數(shù)晶振了，讀卡器生產(chǎn)商就選擇使用精度在100PPM的石英晶振，或者是更差的晶振來(lái)代替，晶振本身的頻率變大之后，表面對(duì)讀卡器的是沒(méi)有什么影響的，晶振的頻率變大的結(jié)果只會(huì)使讀卡器在傳輸速度的時(shí)候發(fā)生傳輸流量變小，甚至有些生產(chǎn)商會(huì)更換成精度較低的陶瓷諧振器。
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那么石英晶振又是什么制作而成的呢，石英內(nèi)部是由壓電石英晶片制作而成的，石英本身是一種自然的結(jié)晶體，在1880年代被居里與皮埃爾發(fā)現(xiàn)能產(chǎn)生壓電效應(yīng)之后，就被廣泛應(yīng)用了，因自然生長(zhǎng)的石英晶體結(jié)構(gòu)密度不怎么好，后被人工培育，經(jīng)過(guò)激光切割，打磨，電鍍焊接之后就被廣泛應(yīng)用到了電子元件中。石英晶體是地球表面僅次于長(zhǎng)石(feldspar)的最常見(jiàn)的物質(zhì)。其化學(xué)成分是二氧化硅(SiO2)，但其壓電特性令其與眾不同。所謂壓電特性是指材料受到機(jī)械力的壓迫時(shí)產(chǎn)生電壓或當(dāng)用電壓激勵(lì)時(shí)以精準(zhǔn)頻率振蕩的能力。后一種特性使石英成為許多應(yīng)用中用以設(shè)定頻率的一種器件。
雖然可從大自然中得到石英晶體，但也可通過(guò)合成方式制造出晶體。純的石英晶體是通過(guò)在高壓釜內(nèi)將一種稱為lasca的礦物質(zhì)融化并于一個(gè)種子晶體整合在一起的方式獲得的。然后將這種晶體切割為小片、并以其為基礎(chǔ)生成設(shè)定某一特定工作頻率所需的厚度。
把晶體切割成片時(shí)的形狀和角度決定晶片的穩(wěn)定性及其它特征。有AT、SC和X等不同切法。兩條晶片分放在該晶體相背的兩面，并分別于焊裝引線連接。組裝好的晶振封裝在一個(gè)通常由金屬制的密閉殼內(nèi)。
晶體本身看起來(lái)象是具有等效感抗、石英可以生產(chǎn)插件晶體也可以生產(chǎn)貼片晶振，容抗和阻抗器件的串聯(lián)諧振電路(圖1a)。將該晶體放在一個(gè)夾持物上將產(chǎn)生并聯(lián)電容，其中，該晶體在這兩個(gè)夾持平板中起著電介質(zhì)的作用。這種組合產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的兼有串聯(lián)和并聯(lián)諧振的電路。
基于采用的振蕩電路，晶體可被用于串聯(lián)、并聯(lián)或抗諧振模式。因并聯(lián)模式不很穩(wěn)定，所以，一般避免采用。但，通常利用介于串聯(lián)和并聯(lián)諧振點(diǎn)間的頻率范圍。該區(qū)域稱為并聯(lián)模式范圍。
當(dāng)工作在并聯(lián)模式時(shí)，通過(guò)該晶體的外接容抗將決定工作頻率。該容抗稱為負(fù)載容抗，它包括PCB上以及振蕩電路中的任何雜散或分布電容。該負(fù)載容抗值一般在3到20pF之間，當(dāng)訂購(gòu)一款用在并聯(lián)模式電路中的晶體時(shí)，必須指明該值。
也可給晶體添加一個(gè)串聯(lián)或并聯(lián)電容器以將其諧振頻率在一個(gè)窄的范圍內(nèi)變動(dòng)。該特性允許對(duì)頻率實(shí)施微小調(diào)整，它有能力為鎖相環(huán)(PLL)應(yīng)用生成一個(gè)可變頻晶振。
許多晶體也在更高的泛音頻率上起振。第3和第5泛頻最常見(jiàn)。所謂泛頻就是基本諧振頻率乘以3、5或其它奇數(shù)倍頻率的近似。而諧頻(harmonic)則是基本頻率的嚴(yán)格整數(shù)倍，但泛頻只是近似而非嚴(yán)格整數(shù)倍。
因典型晶體的基本振蕩頻率最大也就在30到50MHz，所以，泛頻模式是實(shí)現(xiàn)晶體精度和更高頻率穩(wěn)定性的一種方式。當(dāng)指定一款泛頻晶體時(shí)，強(qiáng)調(diào)準(zhǔn)確的頻率很重要，這樣，制造商才能在晶體中實(shí)現(xiàn)合適的基本頻率。
關(guān)鍵參數(shù)
當(dāng)比較和選擇晶振時(shí)，設(shè)計(jì)師應(yīng)考慮以下10個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。
1、工作頻率 晶振的頻率范圍一般在1到70MHz之間。但也有諸如通用的表晶32.768K那樣的特殊低頻晶體。晶體的物理厚度限制其頻率上限。歸功于類似反向臺(tái)面(inverted Mesa)等制造技術(shù)的發(fā)展，晶體的頻率上限已從前些年的30MHz提升到200MHz。工作頻率一般按工作溫度25°C時(shí)給出。
可利用泛頻晶體實(shí)現(xiàn)200MHz以上輸出頻率的更高頻率晶振。另外，帶內(nèi)置PLL頻率倍增器的晶振可提供1GHz以上的頻率。當(dāng)需要UHF和微波頻率時(shí)，聲表波(SAW)振蕩器是種選擇。
2、頻率精度：頻率精度也稱頻率容限，該指標(biāo)度量晶振實(shí)際頻率于應(yīng)用要求頻率值間的接近程度。其常用的表度方法是于特定頻率相比的偏移百分比或百萬(wàn)分之幾(ppm)。例如，對(duì)一款精度±100ppm的10MHz晶振來(lái)說(shuō)，其實(shí)際頻率在10MHz±1000Hz之間。
(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz
它與下式意義相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%。典型的頻率精度范圍在1到1000ppm，以最初的25°C給出。精度很高的晶振以十億分之幾(ppb)給出。
3、頻率穩(wěn)定性 該指標(biāo)量度在一個(gè)特定溫度范圍(如：0°C到70°C以及-40°C到85°C)內(nèi)，實(shí)際頻率與標(biāo)稱頻率的背離程度。穩(wěn)定性也以ppm給出，根據(jù)晶振種類的不同，該指標(biāo)從10到1000ppm變化很大(圖2)。
4、老化 老化指的是頻率隨時(shí)間長(zhǎng)期流逝而產(chǎn)生的變化，一般以周、月或年計(jì)算。它于溫度、電壓及其它條件無(wú)關(guān)。在晶振上電使用的最初幾周內(nèi)，將發(fā)生主要的頻率改變。該值可在5到10ppm間。在最初這段時(shí)間后，老化引起的頻率變化速率將趨緩至幾ppm。
5、輸出 有提供不同種類輸出信號(hào)的晶振。輸出大多是脈沖或邏輯電平，但也有正弦波和嵌位正弦波輸出。一些常見(jiàn)的數(shù)字輸出包括：TTL、HCMOS、ECL、PECL、CML和LVDS。
許多數(shù)字輸出的占空比是40%/60%，但有些型號(hào)可實(shí)現(xiàn)45%/55%的輸出占空比。一些型號(hào)還提供三態(tài)輸出。一般還以扇出數(shù)或容抗值(pF)的方式給出了最大負(fù)載。
6、工作電壓 許多有源晶振工作在5V直流。但新產(chǎn)品可工作在1.8、2.5和3.3V。
7、啟動(dòng)時(shí)間 該規(guī)范度量的是系統(tǒng)上電后到輸出穩(wěn)定時(shí)所需的時(shí)間。在一些器件內(nèi)，有一個(gè)控制晶振輸出開(kāi)/閉的使能腳。
8、相噪 在頻率很高或應(yīng)用要求超穩(wěn)頻率時(shí)，相噪是個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。它表度的是輸出頻率短時(shí)的隨機(jī)漂移。它也被稱為抖動(dòng)，它產(chǎn)生某類相位或頻率調(diào)制。該指標(biāo)在頻率范圍內(nèi)用頻譜分析儀測(cè)量，一般用dBc/Hz表示相噪。
晶振輸出的不帶相噪的正弦波被稱為載波，在頻譜分析儀上顯現(xiàn)為一條工作頻率上的垂直線。相噪在載波之上和之下產(chǎn)生邊帶。相噪幅度表示為邊帶功率幅值(Ps)與載波功率幅值(Pc)之比，以分貝表示：
相噪(dBc)=10log(Ps/Pc)
相噪的測(cè)量以載波的10kHz或100kHz頻率增量計(jì)算，但也用到低至10Hz或100Hz的其它頻率增量。相噪度量一般規(guī)整為與1Hz相等的帶寬。取決于載波的頻率增量，典型的相噪值在-80到-160dBc之間。
9、可調(diào)性(Pullability) 該指標(biāo)表度的是通過(guò)對(duì)一個(gè)壓控晶振(VCXO壓控振蕩器)施加一個(gè)外部控制電壓時(shí)，該電壓所能產(chǎn)生的頻率改變。它表示的是最大可能的頻率變化，通常用ppm表示。同時(shí)還給出控制電壓水平，且有時(shí)還提供以百分比表示的線性值。典型的直流控制電壓范圍在0到5V。頻率變化與控制電壓間的線性關(guān)系可能是個(gè)問(wèn)題。
10、封裝 晶振有許多種封裝形態(tài)。過(guò)去，最常用的是金屬殼封裝，但現(xiàn)在，它已被更新的表貼(SMD)封裝取代。命名為HC-45、HC-49、HC-50或HC-51的金屬封裝一般采用的是標(biāo)準(zhǔn)的DIP通孔管腳。而常見(jiàn)的SMD封裝大小是5×7mm。源于蜂窩手機(jī)制造商的要求，SMD封裝的趨勢(shì)是越做越薄。
石英晶振產(chǎn)值量最大的要數(shù)中國(guó)，品牌最多最廣的，質(zhì)量也比較逾越的就要數(shù)日本的企業(yè)了，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的大部分石英晶振都是在內(nèi)銷，因國(guó)內(nèi)本身就是電子產(chǎn)品生產(chǎn)加工大國(guó)，而韓國(guó)，日本，以及歐美一些國(guó)家生產(chǎn)的晶振也有一部分是銷往中國(guó)，特別的日本品牌晶振，生產(chǎn)的大部分都是銷往中國(guó)市場(chǎng)，日本很多的晶振其實(shí)甚至把工廠也遷移到了中國(guó)，像現(xiàn)在日本企業(yè)在中國(guó)建廠的企業(yè)就有：愛(ài)普生株式會(huì)社【愛(ài)普生晶振】，日本大真空株式會(huì)社【KDS晶振】，日本精工株式會(huì)社【精工晶振】，日本西鐵城株式會(huì)社【西鐵城晶振】，日本村田株式會(huì)社【村田陶瓷振子】，日本NDK株式會(huì)社【NDK晶振】，日本京瓷株式會(huì)社【京瓷晶振】，日本大河株式會(huì)社【大河晶振】等均有在中國(guó)建廠，中國(guó)目前是全球晶體使用大國(guó)。
陶瓷晶振主芯片是多種化學(xué)物凝結(jié)而成的，其中有鉛，鉻，泥土等化學(xué)物合成，外觀是直接采用泥土包封，所以簡(jiǎn)稱為陶瓷晶振，陶瓷晶振一般應(yīng)用在比較低端的家用電子產(chǎn)品，或者是兒童游戲玩具產(chǎn)品，因其本身精度不高，所以應(yīng)用的產(chǎn)品也就一般，高精度的陶瓷諧振器也就是千分之1，一般常規(guī)的也就千分之3或者是千分之5，相對(duì)石英晶振的精度來(lái)說(shuō)就相差盛遠(yuǎn)了，石英晶振的精度一般情況下都能達(dá)到20ppm的精度，在精確一些的能達(dá)到+-5ppm的精度，所以一般比較高端一些的數(shù)碼產(chǎn)品在產(chǎn)品線路設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)采用石英晶振的設(shè)計(jì)，就說(shuō)說(shuō)電腦周邊的產(chǎn)品，USB讀卡器來(lái)解說(shuō)，讀卡器主要用途是用來(lái)讀取DS卡，TF卡，記憶棒卡，CF卡，閃存等存儲(chǔ)卡，而這些存儲(chǔ)卡主要功能好是用來(lái)存儲(chǔ)圖片，音樂(lè)，文件，數(shù)據(jù)等資料，當(dāng)你要把存儲(chǔ)卡上的資料讀取到電腦上的時(shí)候就必須要使用讀卡器來(lái)轉(zhuǎn)接，這時(shí)候讀卡器里面的晶振就需要發(fā)揮它的用處了，很多消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)讀卡器之后會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題，發(fā)現(xiàn)當(dāng)讀卡器的文件轉(zhuǎn)接到電腦硬盤(pán)的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)傳輸速度才幾KB或者是幾十KB，其實(shí)一個(gè)正常的讀卡器傳輸?shù)乃俣茸钌僭?M左右，那么為什么有些讀卡器的傳輸速度會(huì)如此的慢呢？原因很簡(jiǎn)單，是讀卡器里面的那顆小小的晶振在作怪，讀卡器的要求其實(shí)本身就不高，在設(shè)計(jì)線路的時(shí)候就會(huì)選擇一款石英晶振精度在30PPM的就足夠了，后來(lái)很多的讀卡器生產(chǎn)商為了節(jié)約成本，從而產(chǎn)生更大的利潤(rùn)就會(huì)從內(nèi)部的電子零件下手，而且內(nèi)部除了IC之外最為值錢(qián)的就要數(shù)晶振了，讀卡器生產(chǎn)商就選擇使用精度在100PPM的石英晶振，或者是更差的晶振來(lái)代替，晶振本身的頻率變大之后，表面對(duì)讀卡器的是沒(méi)有什么影響的，晶振的頻率變大的結(jié)果只會(huì)使讀卡器在傳輸速度的時(shí)候發(fā)生傳輸流量變小，甚至有些生產(chǎn)商會(huì)更換成精度較低的陶瓷諧振器。
那么石英晶振又是什么制作而成的呢，石英內(nèi)部是由壓電石英晶片制作而成的，石英本身是一種自然的結(jié)晶體，在1880年代被居里與皮埃爾發(fā)現(xiàn)能產(chǎn)生壓電效應(yīng)之后，就被廣泛應(yīng)用了，因自然生長(zhǎng)的石英晶體結(jié)構(gòu)密度不怎么好，后被人工培育，經(jīng)過(guò)激光切割，打磨，電鍍焊接之后就被廣泛應(yīng)用到了電子元件中。石英晶體是地球表面僅次于長(zhǎng)石(feldspar)的最常見(jiàn)的物質(zhì)。其化學(xué)成分是二氧化硅(SiO2)，但其壓電特性令其與眾不同。所謂壓電特性是指材料受到機(jī)械力的壓迫時(shí)產(chǎn)生電壓或當(dāng)用電壓激勵(lì)時(shí)以精準(zhǔn)頻率振蕩的能力。后一種特性使石英成為許多應(yīng)用中用以設(shè)定頻率的一種器件。
雖然可從大自然中得到石英晶體，但也可通過(guò)合成方式制造出晶體。純的石英晶體是通過(guò)在高壓釜內(nèi)將一種稱為lasca的礦物質(zhì)融化并于一個(gè)種子晶體整合在一起的方式獲得的。然后將這種晶體切割為小片、并以其為基礎(chǔ)生成設(shè)定某一特定工作頻率所需的厚度。
把晶體切割成片時(shí)的形狀和角度決定晶片的穩(wěn)定性及其它特征。有AT、SC和X等不同切法。兩條晶片分放在該晶體相背的兩面，并分別于焊裝引線連接。組裝好的晶振封裝在一個(gè)通常由金屬制的密閉殼內(nèi)。
晶體本身看起來(lái)象是具有等效感抗、石英可以生產(chǎn)插件晶體也可以生產(chǎn)貼片晶振，容抗和阻抗器件的串聯(lián)諧振電路(圖1a)。將該晶體放在一個(gè)夾持物上將產(chǎn)生并聯(lián)電容，其中，該晶體在這兩個(gè)夾持平板中起著電介質(zhì)的作用。這種組合產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的兼有串聯(lián)和并聯(lián)諧振的電路。
基于采用的振蕩電路，晶體可被用于串聯(lián)、并聯(lián)或抗諧振模式。因并聯(lián)模式不很穩(wěn)定，所以，一般避免采用。但，通常利用介于串聯(lián)和并聯(lián)諧振點(diǎn)間的頻率范圍。該區(qū)域稱為并聯(lián)模式范圍。
當(dāng)工作在并聯(lián)模式時(shí)，通過(guò)該晶體的外接容抗將決定工作頻率。該容抗稱為負(fù)載容抗，它包括PCB上以及振蕩電路中的任何雜散或分布電容。該負(fù)載容抗值一般在3到20pF之間，當(dāng)訂購(gòu)一款用在并聯(lián)模式電路中的晶體時(shí)，必須指明該值。
也可給晶體添加一個(gè)串聯(lián)或并聯(lián)電容器以將其諧振頻率在一個(gè)窄的范圍內(nèi)變動(dòng)。該特性允許對(duì)頻率實(shí)施微小調(diào)整，它有能力為鎖相環(huán)(PLL)應(yīng)用生成一個(gè)可變頻晶振。
許多晶體也在更高的泛音頻率上起振。第3和第5泛頻最常見(jiàn)。所謂泛頻就是基本諧振頻率乘以3、5或其它奇數(shù)倍頻率的近似。而諧頻(harmonic)則是基本頻率的嚴(yán)格整數(shù)倍，但泛頻只是近似而非嚴(yán)格整數(shù)倍。
因典型晶體的基本振蕩頻率最大也就在30到50MHz，所以，泛頻模式是實(shí)現(xiàn)晶體精度和更高頻率穩(wěn)定性的一種方式。當(dāng)指定一款泛頻晶體時(shí)，強(qiáng)調(diào)準(zhǔn)確的頻率很重要，這樣，制造商才能在晶體中實(shí)現(xiàn)合適的基本頻率。
關(guān)鍵參數(shù)
當(dāng)比較和選擇晶振時(shí)，設(shè)計(jì)師應(yīng)考慮以下10個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。
1、工作頻率 晶振的頻率范圍一般在1到70MHz之間。但也有諸如通用的表晶32.768K那樣的特殊低頻晶體。晶體的物理厚度限制其頻率上限。歸功于類似反向臺(tái)面(inverted Mesa)等制造技術(shù)的發(fā)展，晶體的頻率上限已從前些年的30MHz提升到200MHz。工作頻率一般按工作溫度25°C時(shí)給出。
可利用泛頻晶體實(shí)現(xiàn)200MHz以上輸出頻率的更高頻率晶振。另外，帶內(nèi)置PLL頻率倍增器的晶振可提供1GHz以上的頻率。當(dāng)需要UHF和微波頻率時(shí)，聲表波(SAW)振蕩器是種選擇。
2、頻率精度：頻率精度也稱頻率容限，該指標(biāo)度量晶振實(shí)際頻率于應(yīng)用要求頻率值間的接近程度。其常用的表度方法是于特定頻率相比的偏移百分比或百萬(wàn)分之幾(ppm)。例如，對(duì)一款精度±100ppm的10MHz晶振來(lái)說(shuō)，其實(shí)際頻率在10MHz±1000Hz之間。
(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz
它與下式意義相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%。典型的頻率精度范圍在1到1000ppm，以最初的25°C給出。精度很高的晶振以十億分之幾(ppb)給出。
3、頻率穩(wěn)定性 該指標(biāo)量度在一個(gè)特定溫度范圍(如：0°C到70°C以及-40°C到85°C)內(nèi)，實(shí)際頻率與標(biāo)稱頻率的背離程度。穩(wěn)定性也以ppm給出，根據(jù)晶振種類的不同，該指標(biāo)從10到1000ppm變化很大(圖2)。
4、老化 老化指的是頻率隨時(shí)間長(zhǎng)期流逝而產(chǎn)生的變化，一般以周、月或年計(jì)算。它于溫度、電壓及其它條件無(wú)關(guān)。在晶振上電使用的最初幾周內(nèi)，將發(fā)生主要的頻率改變。該值可在5到10ppm間。在最初這段時(shí)間后，老化引起的頻率變化速率將趨緩至幾ppm。
5、輸出 有提供不同種類輸出信號(hào)的晶振。輸出大多是脈沖或邏輯電平，但也有正弦波和嵌位正弦波輸出。一些常見(jiàn)的數(shù)字輸出包括：TTL、HCMOS、ECL、PECL、CML和LVDS。
許多數(shù)字輸出的占空比是40%/60%，但有些型號(hào)可實(shí)現(xiàn)45%/55%的輸出占空比。一些型號(hào)還提供三態(tài)輸出。一般還以扇出數(shù)或容抗值(pF)的方式給出了最大負(fù)載。
6、工作電壓 許多有源晶振工作在5V直流。但新產(chǎn)品可工作在1.8、2.5和3.3V。
7、啟動(dòng)時(shí)間 該規(guī)范度量的是系統(tǒng)上電后到輸出穩(wěn)定時(shí)所需的時(shí)間。在一些器件內(nèi)，有一個(gè)控制晶振輸出開(kāi)/閉的使能腳。
8、相噪 在頻率很高或應(yīng)用要求超穩(wěn)頻率時(shí)，相噪是個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。它表度的是輸出頻率短時(shí)的隨機(jī)漂移。它也被稱為抖動(dòng)，它產(chǎn)生某類相位或頻率調(diào)制。該指標(biāo)在頻率范圍內(nèi)用頻譜分析儀測(cè)量，一般用dBc/Hz表示相噪。
晶振輸出的不帶相噪的正弦波被稱為載波，在頻譜分析儀上顯現(xiàn)為一條工作頻率上的垂直線。相噪在載波之上和之下產(chǎn)生邊帶。相噪幅度表示為邊帶功率幅值(Ps)與載波功率幅值(Pc)之比，以分貝表示：
相噪(dBc)=10log(Ps/Pc)
相噪的測(cè)量以載波的10kHz或100kHz頻率增量計(jì)算，但也用到低至10Hz或100Hz的其它頻率增量。相噪度量一般規(guī)整為與1Hz相等的帶寬。取決于載波的頻率增量，典型的相噪值在-80到-160dBc之間。
9、可調(diào)性(Pullability) 該指標(biāo)表度的是通過(guò)對(duì)一個(gè)壓控晶振(VCXO壓控振蕩器)施加一個(gè)外部控制電壓時(shí)，該電壓所能產(chǎn)生的頻率改變。它表示的是最大可能的頻率變化，通常用ppm表示。同時(shí)還給出控制電壓水平，且有時(shí)還提供以百分比表示的線性值。典型的直流控制電壓范圍在0到5V。頻率變化與控制電壓間的線性關(guān)系可能是個(gè)問(wèn)題。
10、封裝 晶振有許多種封裝形態(tài)。過(guò)去，最常用的是金屬殼封裝，但現(xiàn)在，它已被更新的表貼(SMD)封裝取代。命名為HC-45、HC-49、HC-50或HC-51的金屬封裝一般采用的是標(biāo)準(zhǔn)的DIP通孔管腳。而常見(jiàn)的SMD封裝大小是5×7mm。源于蜂窩手機(jī)制造商的要求，SMD封裝的趨勢(shì)是越做越薄。
石英晶振產(chǎn)值量最大的要數(shù)中國(guó)，品牌最多最廣的，質(zhì)量也比較逾越的就要數(shù)日本的企業(yè)了，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的大部分石英晶振都是在內(nèi)銷，因國(guó)內(nèi)本身就是電子產(chǎn)品生產(chǎn)加工大國(guó)，而韓國(guó)，日本，以及歐美一些國(guó)家生產(chǎn)的晶振也有一部分是銷往中國(guó)，特別的日本品牌晶振，生產(chǎn)的大部分都是銷往中國(guó)市場(chǎng)，日本很多的晶振其實(shí)甚至把工廠也遷移到了中國(guó)，像現(xiàn)在日本企業(yè)在中國(guó)建廠的企業(yè)就有：愛(ài)普生株式會(huì)社【愛(ài)普生晶振】，日本大真空株式會(huì)社【KDS晶振】，日本精工株式會(huì)社【精工晶振】，日本西鐵城株式會(huì)社【西鐵城晶振】，日本村田株式會(huì)社【村田陶瓷振子】，日本NDK株式會(huì)社【NDK晶振】，日本京瓷株式會(huì)社【京瓷晶振】，日本大河株式會(huì)社【大河晶振】等均有在中國(guó)建廠，中國(guó)目前是全球晶體使用大國(guó)。
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